【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SI2323DS-T1】封装/厂家_SI2323DS-T1中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： SI2323DS-T1
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2323DS-T1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2323DS-T1价格参考。VishaySI2323DS-T1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2323DS-T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2323DS-T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI2323DS-T1 是一款单通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景广泛，特别是在需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的一些主要应用场景：

 1. 电源管理
SI2323DS-T1 常用于各种电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。它能够提供高效的开关性能，减少功率损耗，特别适用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。

 2. 负载切换
在负载切换应用中，SI2323DS-T1 可以作为电子开关，控制电流流向不同的负载。它的低导通电阻特性使得它在大电流应用中表现出色，能够有效降低发热并提高系统效率。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、电动座椅、空调等设备的供电。

 3. 电机驱动
对于小型电机驱动应用，如步进电机、直流电机等，SI2323DS-T1 可以用作驱动电路中的开关元件。它能够快速响应控制信号，实现对电机的精确控制，同时保持较低的功耗。这种应用场景常见于家用电器、办公自动化设备以及工业控制系统中。

 4. 电池保护
在电池管理系统中，SI2323DS-T1 可以用于防止过充、过放或短路等情况的发生。通过将其与适当的控制电路结合，可以有效地保护电池组的安全性和寿命，特别适用于锂电池、镍氢电池等可充电电池的应用。

 5. 通信设备
在通信设备中，如路由器、交换机、基站等，SI2323DS-T1 可以用于电源分配、信号调理等方面。它具备良好的电磁兼容性（EMC）性能，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，确保通信系统的可靠性和稳定性。

 6. 消费电子产品
除了上述工业和专业应用外，SI2323DS-T1 还广泛应用于各类消费电子产品中，如智能音箱、智能家居设备、游戏机等。它的小尺寸和高性能使其成为紧凑型设计的理想选择。

总之，Vishay Siliconix 的 SI2323DS-T1 在多种应用场景中表现出色，特别是在需要高效开关、低功耗和高可靠性的电路设计中具有显著优势。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI2323DS-T1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1020pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	19nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	750mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.7A （Ta）

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