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Datasheet下载- 型号： SI2319DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2319DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2319DS-T1-E3价格参考。VishaySI2319DS-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 40V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2319DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2319DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2319DS-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI2319DS-T1-E3常用于各种电源管理电路中，如DC-DC转换器、降压/升压变换器等。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。该器件的快速开关特性使得它在高频开关电源中表现出色，能够有效降低开关损耗。 2. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，MOSFET用于控制电池充放电回路的开关状态。SI2319DS-T1-E3可以作为电池保护电路中的关键元件，确保电池在过流、短路或过温等异常情况下迅速切断电流，保护电池安全。 3. 电机驱动 该MOSFET适用于小型电机驱动应用，如消费电子产品中的风扇、泵浦、玩具电机等。其低导通电阻和快速开关能力使其能够在高频率下高效驱动电机，同时保持较低的发热量。 4. 负载切换 在需要频繁切换负载的应用中，如智能插座、LED照明控制系统等，SI2319DS-T1-E3可以用作负载开关。它能够快速响应控制信号，实现负载的通断控制，同时具备良好的耐压性能，确保系统的稳定性和可靠性。 5. 便携式设备 对于便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，SI2319DS-T1-E3可用于电源路径管理、USB充电保护等功能。其紧凑的封装形式（SOT-23-3L）非常适合这些对空间要求较高的应用，且其低功耗特性有助于延长设备的续航时间。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，MOSFET广泛应用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口、继电器替代等方面。SI2319DS-T1-E3凭借其优异的电气特性和可靠性，成为这些应用的理想选择。 总之，SI2319DS-T1-E3凭借其出色的性能和紧凑的封装，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域，尤其适合需要高效、低损耗和快速响应的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72315 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2319DS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2319DS-T1-E3SI2319DS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2319DS-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2319DS-E3 |
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