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SI2318CDS-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2318CDS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2318CDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2318CDS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 5.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载SI2318CDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2318CDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2318CDS-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,适用于多种应用场景。 1. 电源管理 SI2318CDS-T1-GE3常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其低导通电阻(Rds(on))可以减少传导损耗,提高效率,特别适合于需要高效能的便携式设备和电池供电系统。此外,它还可以用于线性稳压器的旁路开关,以实现更低的功耗。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,如风扇、泵、无人机电机等,SI2318CDS-T1-GE3可以用作功率级开关。它的快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机控制的精度和响应速度,同时降低发热,延长设备的使用寿命。 3. 负载切换 该器件适用于负载切换电路,例如在汽车电子系统中用于控制车灯、雨刷、座椅加热等负载的通断。其低导通电阻和高耐压特性使其能够在这些应用中提供可靠的性能,并且能够承受瞬态电压冲击。 4. 电池保护 在锂电池和其他可充电电池组中,SI2318CDS-T1-GE3可以用作电池保护电路中的开关元件。它可以有效地防止过充、过放和短路等异常情况,确保电池的安全运行。 5. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中,MOSFET用于电源管理和信号调理电路。SI2318CDS-T1-GE3的快速开关速度和低寄生电容使其成为这些应用的理想选择,能够提高系统的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,MOSFET用于USB充电接口、背光驱动、音频放大器等模块。SI2318CDS-T1-GE3的小封装尺寸和高效能特点使其非常适合这些对空间和功耗要求严格的应用。 总之,SI2318CDS-T1-GE3凭借其优异的电气特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、电池保护、通信设备和消费电子产品等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.6 A |
Id-连续漏极电流 | 5.6 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2318CDS-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI2318CDS-T1-GE3SI2318CDS-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
Qg-GateCharge | 5.8 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 4.3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | SI2318CDS-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 17 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Tc) |
配置 | Single |
零件号别名 | SI2318CDS-GE3 |