ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2312CDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2312CDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2312CDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2312CDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2312CDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2312CDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2312CDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET晶体管，具有广泛的应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI2312CDS-T1-GE3常用于各种电源管理电路中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和负载点（POL）稳压器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于提高效率，减少功率损耗，特别适用于需要高效能和低功耗的设计。 2. 电机驱动 该MOSFET适用于小型电机驱动应用，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。它能够提供足够的电流驱动能力，并且具备快速开关特性，适合高频PWM控制，确保电机运行平稳、响应迅速。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，SI2312CDS-T1-GE3可用于电池充放电保护电路。它可以作为开关元件，在电池过充、过放或短路等异常情况下切断电路，保护电池和相关设备的安全。 4. 消费电子设备 这款MOSFET广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中。它用于管理电源分配、充电电路、背光驱动等，确保设备在不同工作模式下的稳定性和可靠性。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，SI2312CDS-T1-GE3可用于各种传感器接口、执行器控制和信号调理电路。它的高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 6. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机和基站，SI2312CDS-T1-GE3可用于电源管理和信号处理电路。它能够提供快速的开关速度和低噪声特性，确保通信系统的高效运行。 7. 汽车电子 在汽车电子系统中，SI2312CDS-T1-GE3可用于车载充电器、LED照明控制、电动窗和座椅调节等应用。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境下正常工作，满足汽车行业的严格要求。 总之，SI2312CDS-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2312CDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2312CDS-T1-GE3SI2312CDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 865pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31.8 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2312CDS-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 |
(SN).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
