ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2312CDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2312CDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2312CDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2312CDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2312CDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2312CDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2312CDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI2312CDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理与转换 SI2312CDS-T1-GE3 适用于各种电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电电路等。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提高电源转换效率。它还可以用于电压调节模块（VRM）中，确保稳定的输出电压。 2. 电机驱动与控制 在电机驱动领域，尤其是小型直流电机和步进电机的控制中，SI2312CDS-T1-GE3 可以作为开关元件，实现电机的启停、正反转以及速度调节。其快速开关特性和低功耗特性使其非常适合用于需要频繁开关操作的电机控制系统。 3. 负载开关与保护电路 该器件可以作为负载开关使用，控制电流流向特定的负载设备。它还可以集成到过流保护、短路保护等电路中，防止系统因过载或短路而损坏。由于其内置的栅极保护功能，能够在一定程度上防止静电放电（ESD）对器件造成损害。 4. 通信设备与消费电子 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，SI2312CDS-T1-GE3 可用于电源管理模块，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。此外，它还广泛应用于通信基站、路由器等设备中的电源管理系统，提供高效的电力分配和管理。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，SI2312CDS-T1-GE3 可用于车载充电器、LED 照明系统、电动座椅、车窗升降器等应用中。其高可靠性和耐高温特性使其能够在恶劣的汽车环境中保持稳定工作。 总之，SI2312CDS-T1-GE3 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关、通信设备及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2312CDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2312CDS-T1-GE3SI2312CDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 865pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31.8 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2312CDS-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 |
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