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型号： SI2306BDS-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI2306BDS-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2306BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2306BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2306BDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2306BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2306BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	3.16 A
Id-连续漏极电流	3.16 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?73234
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2306BDS-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI2306BDS-T1-GE3SI2306BDS-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	750 mW
Pd-功率耗散	750 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	47 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	47 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	12 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	305pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	4.5nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	47 毫欧 @ 3.5A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	SI2306BDS-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	14 ns
功率-最大值	750mW
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
商标名	TrenchFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.16A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SI2306BDS-GE3