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SI2306BDS-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2306BDS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2306BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2306BDS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载SI2306BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2306BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2306BDS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 SI2306BDS-T1-GE3 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持较低的功耗,从而提高电源效率。其快速开关特性也使得它在高频应用中表现出色,适合用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的充电电路。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机启动和运行时的稳定性。此外,其低导通电阻有助于减少发热,延长电机的使用寿命。 3. 负载切换 在汽车电子和工业控制领域,SI2306BDS-T1-GE3 可作为负载开关使用。它能够快速响应负载变化,保护电路免受过流、短路等故障的影响。例如,在汽车中的电动座椅、车窗升降器等应用中,该 MOSFET 可以实现平稳的负载切换,同时提供过载保护功能。 4. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,SI2306BDS-T1-GE3 可用于电池充放电控制。它能够精确控制电流流动,防止电池过充或过放,从而延长电池寿命并提高安全性。特别是在锂电池和磷酸铁锂电池的应用中,该 MOSFET 的低损耗特性尤为重要。 5. 信号放大与隔离 在一些需要信号放大的应用场景中,SI2306BDS-T1-GE3 可以作为功率放大器的一部分,帮助放大微弱信号。此外,它还可以用于信号隔离电路,确保不同电路之间的电气隔离,防止干扰和损坏。 总之,SI2306BDS-T1-GE3 凭借其优异的性能参数和可靠性,适用于多种电力电子设备中的关键部位,尤其是在需要高效能、低损耗和快速响应的应用场景中表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.16 A |
Id-连续漏极电流 | 3.16 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73234 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2306BDS-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI2306BDS-T1-GE3SI2306BDS-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 750 mW |
Pd-功率耗散 | 750 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 305pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 47 毫欧 @ 3.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | SI2306BDS-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
功率-最大值 | 750mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.16A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI2306BDS-GE3 |