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型号： SI2305ADS-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI2305ADS-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2305ADS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2305ADS-T1-GE3价格参考￥询价-￥询价。VishaySI2305ADS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 8V 5.4A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2305ADS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2305ADS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI2305ADS-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	800mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	740pF @ 4V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	40 毫欧 @ 4.1A，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	SI2305ADS-T1-GE3TR SI2305ADST1GE3
功率-最大值	1.7W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.4A （Tc）