ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2305ADS-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI2305ADS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2305ADS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2305ADS-T1-E3价格参考。VishaySI2305ADS-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 8V 5.4A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2305ADS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2305ADS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2305ADS-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机控制：在电机驱动和控制电路中，SI2305ADS-T1-E3可以用于H桥电路、PWM调速等应用。其快速开关特性和低导通电阻使得它在电机控制应用中表现出色，能够提供高效的电流控制和保护功能。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，它可以实现对不同负载的快速接通和断开操作，适用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统中的电源管理。 4. 信号切换：在通信设备和数据传输系统中，该MOSFET可用于信号切换，确保信号的可靠传输。其低电容和快速响应时间使其成为高速信号切换的理想选择。 5. 过流保护：通过检测电流并根据设定阈值进行控制，SI2305ADS-T1-E3可以在过流情况下迅速切断电路，防止损坏其他元件，适用于各类需要过流保护的电路设计。 6. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）等，这款MOSFET凭借其高可靠性和耐高温性能，能够满足严苛的工作环境要求。 7. 消费类电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中，该MOSFET用于电源管理和接口保护，以确保设备的安全运行和高效能表现。 总之，SI2305ADS-T1-E3因其出色的电气性能和可靠性，适用于广泛的工业、消费及汽车电子领域，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2305ADS-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2305ADS-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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