ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2302DDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2302DDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2302DDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2302DDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2302DDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Tj） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2302DDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2302DDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2302DDS-T1-GE3 |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品型号 | SI2302DDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.71 W |
| Pd-功率耗散 | 710 mW |
| Qg-GateCharge | 3.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.85 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 系列 | SI2302DDS |
| 通道模式 | Enhancement |
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