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Datasheet下载- 型号： SI2302DDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2302DDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2302DDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2302DDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Tj） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2302DDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2302DDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2302DDS-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI2302DDS-T1-GE3常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地进行电流切换，减少能量损耗，提高系统的整体效率。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，特别适合于低压降应用，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源电路。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具、家用电器等，MOSFET作为开关元件，能够精确控制电机的启动、停止和速度调节。SI2302DDS-T1-GE3的快速开关特性和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。 3. 负载开关 该型号MOSFET也广泛用于负载开关设计中，尤其是在便携式电子产品中。它可以实现对不同负载的快速响应和保护功能，如过流保护、短路保护等，确保系统在异常情况下不会损坏。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，MOSFET用于控制电池充放电过程中的电流流向，防止过充或过放。SI2302DDS-T1-GE3的低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命，并提高整个系统的安全性。 5. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机等，MOSFET用于电源管理和信号调理。其快速开关速度和高可靠性使得它能够在高频工作环境下保持稳定性能，确保数据传输的可靠性和效率。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，如车载充电器、LED照明系统、车身控制系统等，SI2302DDS-T1-GE3可以提供高效的功率转换和稳定的开关控制，满足汽车级应用对可靠性和耐用性的严格要求。 总之，SI2302DDS-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性，在多个领域中发挥着重要作用，尤其适用于对功耗、效率和安全性有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2302DDS-T1-GE3 |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品型号 | SI2302DDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.71 W |
| Pd-功率耗散 | 710 mW |
| Qg-GateCharge | 3.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.85 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 系列 | SI2302DDS |
| 通道模式 | Enhancement |
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