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  • 型号: SI2301BDS-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2301BDS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2301BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2301BDS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载SI2301BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2301BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72066

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2301BDS-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI2301BDS-T1-GE3SI2301BDS-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

700 mW

Pd-功率耗散

700 mW

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

40 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

375pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 2.8A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

700mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

100 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

2.2 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.2A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI2301BDS-GE3

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