ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI1926DL-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1926DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1926DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1926DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1926DL-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 370mA 510mW 表面贴装 SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SI1926DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1926DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 370MA SOT363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1926DL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 18.5pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 340mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 370mA |
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