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型号： SI1902DL-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1902DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1902DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1902DL-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装 SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SI1902DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1902DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI1902DL-T1-GE3 是一款高性能、低噪声的射频 (RF) 开关，适用于多种无线通信和射频应用。该器件由 Skyworks Solutions 生产，广泛应用于需要高线性度、低插入损耗和快速切换时间的场景。以下是其主要应用场景：

 1. 智能手机与平板电脑
SI1902DL-T1-GE3 常用于智能手机和平板电脑中的射频前端模块 (FEM)，特别是在多频段 LTE 和 5G 设备中。它能够高效地在不同的射频信号之间进行切换，确保设备在不同网络频段下保持最佳性能。该器件的低插入损耗特性有助于提高信号传输效率，减少功耗。

 2. 物联网 (IoT) 设备
在物联网设备中，SI1902DL-T1-GE3 可用于实现 Wi-Fi、蓝牙、Zigbee 等多种无线协议之间的快速切换。它的低功耗和小尺寸设计使其非常适合电池供电的 IoT 设备，如智能家居传感器、智能手表等。

 3. 无线基础设施
该器件还广泛应用于小型基站、微蜂窝基站以及 Wi-Fi 路由器等无线基础设施设备中。它能够在多个频段之间快速切换，支持 MIMO（多输入多输出）技术，从而提升数据传输速率和覆盖范围。

 4. 汽车电子
在汽车电子领域，SI1902DL-T1-GE3 可用于车载信息娱乐系统、V2X（车对万物）通信模块等。它能够处理复杂的射频信号环境，确保车辆在行驶过程中保持稳定的无线连接。

 5. 工业无线通信
在工业自动化和智能制造领域，SI1902DL-T1-GE3 可用于无线传感器网络、远程监控系统等。它具备出色的抗干扰能力和可靠性，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。

 6. 医疗设备
在医疗设备中，如可穿戴健康监测设备、远程医疗系统等，SI1902DL-T1-GE3 可以帮助实现低延迟、高可靠性的无线数据传输，确保患者数据的实时性和准确性。

总的来说，SI1902DL-T1-GE3 凭借其优异的射频性能和低功耗特性，成为众多无线通信和射频应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC-70-6
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI1902DL-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	1.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	385 毫欧 @ 660mA， 4.5V
供应商器件封装	SC-70-6 （SOT-363）
其它名称	SI1902DL-T1-GE3TR SI1902DLT1GE3
功率-最大值	270mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	660mA