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型号： SI1902DL-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1902DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1902DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1902DL-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装 SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SI1902DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1902DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI1902DL-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的电路中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   SI1902DL-T1-GE3常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（典型值为4.5mΩ）有助于减少功率损耗，提高转换效率，特别适合便携式设备、电池供电系统等对功耗敏感的应用。

 2. 负载开关
   在负载开关应用中，该器件可以快速切换电源与负载之间的连接，确保在启动或关闭时不会产生过大的电流冲击。它还能够保护电路免受过流、短路等故障的影响，适用于USB端口、存储卡插槽等接口电路。

 3. 电机驱动
   对于小型电机驱动应用，如智能手机中的振动马达、无人机的无刷电机控制等，SI1902DL-T1-GE3可以作为驱动信号的开关元件，提供高效、可靠的控制能力，同时保持较低的发热水平。

 4. 电池保护
   在电池管理系统中，该MOSFET阵列可用于电池组的充放电保护电路。通过精确控制充电电流和电压，防止过充、过放等问题，延长电池寿命，确保系统的安全性。

 5. 信号切换
   在多路复用器或多路选择器电路中，SI1902DL-T1-GE3可以用作信号路径的选择开关，实现不同输入输出信号的切换。由于其低导通电阻和快速响应特性，适合用于高速数据传输或音频信号处理等场合。

 6. 汽车电子
   在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块（BCM）、LED照明控制、电动座椅调节等应用中。其符合AEC-Q101标准，具备良好的可靠性和抗干扰能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。

总之，SI1902DL-T1-GE3凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计，适用于多种需要高效开关和低功耗的电路设计，特别是在便携式设备、消费电子、工业控制和汽车电子等领域表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC-70-6
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI1902DL-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	1.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	385 毫欧 @ 660mA， 4.5V
供应商器件封装	SC-70-6 （SOT-363）
其它名称	SI1902DL-T1-GE3TR SI1902DLT1GE3
功率-最大值	270mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	660mA