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SI1902DL-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1902DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1902DL-T1-E3价格参考¥1.30-¥1.30。VishaySI1902DL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1902DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1902DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1902DL-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI1902DL-T1-E3 的低导通电阻(Rds(on))使其非常适合用于 DC-DC 转换器中的功率开关,能够有效降低传导损耗,提高转换效率。 - 负载开关:在便携式设备中,该器件可用作负载开关,控制电源分配并减少静态电流消耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:该 MOSFET 阵列可用于驱动小型直流电机,提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 - H 桥电路:在需要双向控制的电机应用中,SI1902DL-T1-E3 可作为 H 桥的一部分,实现正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:在锂电池或可充电电池组中,该器件可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,帮助实现电池电量的准确监测。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理模块,支持快速充电和低功耗模式。 - USB-C 和 PD 控制:在 USB-C 接口和电力传输 (Power Delivery, PD) 系统中,作为功率路径控制的关键元件。 5. 信号切换 - 音频信号切换:在多输入音频设备中,该 MOSFET 阵列可用于切换不同的信号源,同时保持低噪声性能。 - 数据线路切换:适用于需要频繁切换的数据通信线路,如 UART、I2C 或 SPI。 6. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,用于驱动传感器或执行器,提供可靠的开关功能。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和高可靠性,可以替代传统机械继电器,用于高频开关场合。 特性优势 - 低导通电阻:有助于降低功耗和发热,提升系统效率。 - 小型封装 (TSOP-6):适合空间受限的设计,便于集成到紧凑型产品中。 - 高工作频率:支持高频开关应用,满足现代电子设备的需求。 综上所述,SI1902DL-T1-E3 主要应用于电源管理、电机驱动、电池保护、消费电子、信号切换及工业自动化等领域,凭借其高效、可靠和紧凑的特点,成为许多设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC70-6MOSFET 20V 0.70A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 700 mA |
Id-连续漏极电流 | 700 mA |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71080 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1902DL-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI1902DL-T1-E3SI1902DL-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 270 mW |
Pd-功率耗散 | 270 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 385 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 385 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 385 毫欧 @ 660mA, 4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Dual MOSFETs |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1902DL-T1-E3TR |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 385 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 700 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 660mA |
系列 | SI19xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI1902DL-E3 |