【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_SI1902DL-T1-E3】封装/厂家_SI1902DL-T1-E3中文资料_价格

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型号： SI1902DL-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI1902DL-T1-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1902DL-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1902DL-T1-E3价格参考￥1.30-￥1.30。VishaySI1902DL-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装 SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SI1902DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1902DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC70-6MOSFET 20V 0.70A
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	700 mA
Id-连续漏极电流	700 mA
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
产品手册	http://www.vishay.com/doc?71080
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1902DL-T1-E3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI1902DL-T1-E3SI1902DL-T1-E3
Pd-PowerDissipation	270 mW
Pd-功率耗散	270 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	385 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	385 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	16 ns
下降时间	16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	1.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	385 毫欧 @ 660mA， 4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	Dual MOSFETs
供应商器件封装	SC-70-6 （SOT-363）
其它名称	SI1902DL-T1-E3TR SI1902DLT1E3
典型关闭延迟时间	10 ns
功率-最大值	270mW
包装	带卷（TR）
商标	Vishay / Siliconix
商标名	TrenchFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	385 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	SOT-363-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	700 mA
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	660mA
系列	SI19xxDx
通道模式	Enhancement
配置	Dual
零件号别名	SI1902DL-E3

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