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  • 型号: SI1902DL-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI1902DL-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1902DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1902DL-T1-E3价格参考¥1.30-¥1.30。VishaySI1902DL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1902DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1902DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1902DL-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI1902DL-T1-E3 的低导通电阻(Rds(on))使其非常适合用于 DC-DC 转换器中的功率开关,能够有效降低传导损耗,提高转换效率。
   - 负载开关:在便携式设备中,该器件可用作负载开关,控制电源分配并减少静态电流消耗。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:该 MOSFET 阵列可用于驱动小型直流电机,提供高效的开关性能和良好的热稳定性。
   - H 桥电路:在需要双向控制的电机应用中,SI1902DL-T1-E3 可作为 H 桥的一部分,实现正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:在锂电池或可充电电池组中,该器件可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。
   - 电量监测:通过精确控制电流流动,帮助实现电池电量的准确监测。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理模块,支持快速充电和低功耗模式。
   - USB-C 和 PD 控制:在 USB-C 接口和电力传输 (Power Delivery, PD) 系统中,作为功率路径控制的关键元件。

 5. 信号切换
   - 音频信号切换:在多输入音频设备中,该 MOSFET 阵列可用于切换不同的信号源,同时保持低噪声性能。
   - 数据线路切换:适用于需要频繁切换的数据通信线路,如 UART、I2C 或 SPI。

 6. 工业自动化
   - 传感器接口:在工业控制系统中,用于驱动传感器或执行器,提供可靠的开关功能。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和高可靠性,可以替代传统机械继电器,用于高频开关场合。

 特性优势
- 低导通电阻:有助于降低功耗和发热,提升系统效率。
- 小型封装 (TSOP-6):适合空间受限的设计,便于集成到紧凑型产品中。
- 高工作频率:支持高频开关应用,满足现代电子设备的需求。

综上所述,SI1902DL-T1-E3 主要应用于电源管理、电机驱动、电池保护、消费电子、信号切换及工业自动化等领域,凭借其高效、可靠和紧凑的特点,成为许多设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC70-6MOSFET 20V 0.70A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

700 mA

Id-连续漏极电流

700 mA

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?71080

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1902DL-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI1902DL-T1-E3SI1902DL-T1-E3

Pd-PowerDissipation

270 mW

Pd-功率耗散

270 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

385 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

385 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

16 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

385 毫欧 @ 660mA, 4.5V

产品目录页面

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产品种类

Dual MOSFETs

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

270mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

385 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

700 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

660mA

系列

SI19xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI1902DL-E3

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