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SI1869DH-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1869DH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1869DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1869DH-T1-GE3封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载SI1869DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1869DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1869DH-T1-GE3 是一款适用于 PMIC(电源管理集成电路)中配电开关和负载驱动器应用的 N 沟道增强型 MOSFET。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备: 该器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的负载切换和电源分配。它能够高效地控制不同电路模块的供电,降低功耗并提高系统效率。 2. 电池管理系统 (BMS): 在电池供电的设备中,SI1869DH-T1-GE3 可用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响,同时支持动态负载切换以优化电池寿命。 3. 通信设备: 包括路由器、交换机和基站等通信设备中,该器件可用于信号链路的电源管理,确保关键组件在需要时获得稳定的电流供应。 4. 消费类电子产品: 如电视、音频设备和家用电器中,可以作为负载驱动器使用,实现对电机、LED 灯或其他外设的精确控制。 5. 工业自动化: 在工业控制系统中,该 MOSFET 能够用作开关元件,控制传感器、执行器或小型电机的电源通断。 6. 汽车电子: 虽然其额定电压和电流可能更适合低功率场景,但在某些汽车子系统中(如信息娱乐系统或车内照明),也可用作负载切换器件。 SI1869DH-T1-GE3 的特点使其非常适合这些应用场景,例如低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,高开关速度提升效率,而紧凑的封装形式则有助于节省 PCB 空间。此外,其优异的热特性和可靠性也为复杂电子系统提供了保障。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT |
产品分类 | PMIC - 电源分配开关分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1869DH-T1-GE3- |
数据手册 | |
产品型号 | SI1869DH-T1-GE3SI1869DH-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Rds(On) | 165 毫欧 |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 165 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 1.8 V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1869DH-T1-GE3CT |
内部开关 | 是 |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-70-6 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-输入 | 1.8 V ~ 20 V |
电流限制 | 1.2A |
类型 | 高端开关 |
输出数 | 1 |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI1869DH-GE3 |