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  • 型号: SI1869DH-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI1869DH-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1869DH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1869DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1869DH-T1-GE3封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载SI1869DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1869DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1869DH-T1-GE3 是一款适用于 PMIC(电源管理集成电路)中配电开关和负载驱动器应用的 N 沟道增强型 MOSFET。其主要应用场景包括:

1. 便携式电子设备:  
   该器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的负载切换和电源分配。它能够高效地控制不同电路模块的供电,降低功耗并提高系统效率。

2. 电池管理系统 (BMS):  
   在电池供电的设备中,SI1869DH-T1-GE3 可用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响,同时支持动态负载切换以优化电池寿命。

3. 通信设备:  
   包括路由器、交换机和基站等通信设备中,该器件可用于信号链路的电源管理,确保关键组件在需要时获得稳定的电流供应。

4. 消费类电子产品:  
   如电视、音频设备和家用电器中,可以作为负载驱动器使用,实现对电机、LED 灯或其他外设的精确控制。

5. 工业自动化:  
   在工业控制系统中,该 MOSFET 能够用作开关元件,控制传感器、执行器或小型电机的电源通断。

6. 汽车电子:  
   虽然其额定电压和电流可能更适合低功率场景,但在某些汽车子系统中(如信息娱乐系统或车内照明),也可用作负载切换器件。

SI1869DH-T1-GE3 的特点使其非常适合这些应用场景,例如低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,高开关速度提升效率,而紧凑的封装形式则有助于节省 PCB 空间。此外,其优异的热特性和可靠性也为复杂电子系统提供了保障。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT

产品分类

PMIC - 电源分配开关分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

1.2 A

Id-连续漏极电流

1.2 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1869DH-T1-GE3-

数据手册

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产品型号

SI1869DH-T1-GE3SI1869DH-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Rds(On)

165 毫欧

RdsOn-Drain-SourceResistance

165 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

165 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

1.8 V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1869DH-T1-GE3CT

内部开关

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-输入

1.8 V ~ 20 V

电流限制

1.2A

类型

高端开关

输出数

1

配置

Dual

零件号别名

SI1869DH-GE3

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