Datasheet下载- 型号： SI1553CDL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1553CDL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1553CDL-T1-GE3价格参考。VishaySI1553CDL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1553CDL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1553CDL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 38 pF, 43 pF |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 700MA SC70-6MOSFET 20V 0.7/-0.5 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | 700 mA, - 500 mA |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1553CDL-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1553CDL-T1-GE3SI1553CDL-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.34 W |
| Pd-功率耗散 | 340 mW |
| Qg-GateCharge | 0.55 nC, 0.95 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.55 nC, 0.95 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 325 mOhms, 708 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 390 mOhms, 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V, - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V, - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V, - 1.5 V |
| 上升时间 | 22 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 13 ns, 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 38pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 390 毫欧 @ 700mA， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 12 ns |
| 功率-最大值 | 340mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.5 S, 0.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA， 500mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI1553DL-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3-S SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3 |
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