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  • 型号: SI1499DH-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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SI1499DH-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1499DH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1499DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1499DH-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1499DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1499DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI1499DH-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 4V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

78 毫欧 @ 2A,4.5V

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1499DH-T1-GE3DKR

功率-最大值

2.78W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

8V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.6A (Tc)

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