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Datasheet下载- 型号： SI1480DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI1480DH-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1480DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1480DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1480DH-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)。您可以下载SI1480DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1480DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363MOSFET 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1480DH-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1480DH-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 1.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V to 3 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1.9A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1480DH-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
