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  • 型号: SI1441EDH-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1441EDH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1441EDH-T1-GE3价格参考。VishaySI1441EDH-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI1441EDH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1441EDH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363MOSFET -20V 41mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4 A

Id-连续漏极电流

- 4 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1441EDH-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI1441EDH-T1-GE3SI1441EDH-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2.8 W

Pd-功率耗散

2.8 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

41 毫欧 @ 5A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-363

功率-最大值

2.8W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

41 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

16 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 4 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

配置

Single

零件号别名

SI1417EDH-T1-GE3

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