ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1414DH-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1414DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1414DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1414DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1414DH-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 4A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363。您可以下载SI1414DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1414DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI1414DH-T1-GE3 是一款由 VISHAY 公司生产的肖特基二极管，它具有低正向压降和快速反向恢复时间的特点。该元器件在电源管理、信号整流和保护电路中有着广泛的应用。 1. 电源管理 SI1414DH-T1-GE3 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等电源管理系统中。其低正向压降特性可以减少功率损耗，提高电源转换效率，特别适用于需要高效能的便携式设备、通信基站、服务器电源等场景。此外，在太阳能光伏系统中，肖特基二极管也被用于旁路保护，防止电池板之间的电流逆流，确保系统的稳定运行。 2. 信号整流 在高频信号处理电路中，SI1414DH-T1-GE3 的快速反向恢复时间使其成为理想的整流元件。它可以有效地将交流信号转换为直流信号，适用于无线电接收机、调制解调器等设备中的检波电路。同时，该二极管的高频率响应能力也使得它在高速数据传输系统中表现出色。 3. 保护电路 由于 SI1414DH-T1-GE3 具有较低的反向漏电流，因此它也可以用作保护电路中的箝位二极管，防止过电压对敏感电子元件造成损害。例如，在汽车电子系统中，它可以用于防止电池电压波动或瞬态高压对控制模块的影响；在工业自动化设备中，它可以保护传感器和执行器免受静电放电（ESD）和其他瞬态干扰的影响。 4. 其他应用 除了上述应用场景外，SI1414DH-T1-GE3 还可以用于逆变器、电机驱动器、LED 驱动电路等领域。其紧凑的封装形式（如 DO-214AC 封装）使得它非常适合空间受限的设计，如消费类电子产品、智能家居设备等。 总之，SI1414DH-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电子设备和系统中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI1414DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 4A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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