ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1414DH-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1414DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1414DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1414DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1414DH-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 4A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363。您可以下载SI1414DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1414DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1414DH-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 SI1414DH-T1-GE3具有低导通电阻（Rds(on)），这使得它在电源管理电路中表现出色。它常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器中，能够有效降低功耗并提高效率。其低导通电阻有助于减少发热，延长设备的使用寿命。 2. 电机控制 在电机驱动和控制电路中，该MOSFET可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。由于其快速开关特性和低损耗，适合应用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机等场合。 3. 负载切换 该器件适用于各种负载切换应用，如USB端口保护、电池管理系统（BMS）中的负载开关等。它可以快速响应负载变化，确保电路的安全性和稳定性。 4. 信号放大与传输 在某些低频信号放大和传输电路中，SI1414DH-T1-GE3可以用作信号开关或缓冲器，帮助实现信号的高效传输，同时保持低噪声和高可靠性。 5. 过流保护 该MOSFET还可以用于过流保护电路中，通过检测电流大小并在超过设定阈值时切断电路，防止过载损坏其他元件。其内置的体二极管可以在反向电流情况下提供额外的保护。 6. 便携式电子设备 由于其小封装（SOT-23）和低功耗特性，SI1414DH-T1-GE3非常适合应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它能够在有限的空间内提供高效的功率管理和控制功能。 总结 SI1414DH-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关速度和紧凑的封装尺寸，广泛应用于电源管理、电机控制、负载切换、信号传输和过流保护等领域，尤其适合对效率和空间要求较高的便携式电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI1414DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 4A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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