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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI1305DL-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SC-70-3 |
其它名称 | SI1305DL-T1-E3DKR |
功率-最大值 | 290mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 860mA (Ta) |