【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SI1302DL-T1-GE3】封装/厂家_SI1302DL-T1-GE3中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1302DL-T1-GE3

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SI1302DL-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1302DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1302DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1302DL-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3。您可以下载SI1302DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1302DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI1302DL-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：

 1. 电源管理
   SI1302DL-T1-GE3常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）中，作为功率开关器件。它的低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET的快速开关速度可以降低开关损耗，适用于高频开关应用。

 2. 电机驱动
   在电机控制领域，SI1302DL-T1-GE3可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。它能够承受较大的电流波动，并且具有良好的热稳定性，确保在长时间工作时不会过热。该MOSFET还适用于H桥电路，用于实现电机的正反转控制。

 3. 电池管理系统（BMS）
   在电池管理系统中，SI1302DL-T1-GE3可以用作电池保护电路中的开关元件。它可以有效地防止电池过充、过放、短路等异常情况，确保电池的安全性和寿命。此外，其低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池的工作时间。

 4. 负载开关
   该MOSFET也可用作负载开关，用于控制电路中的电源通断。通过控制栅极电压，可以实现对负载的精确控制。由于其低导通电阻和小封装尺寸，SI1302DL-T1-GE3非常适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。

 5. 信号切换
   在一些需要高速信号切换的应用中，如数据通信、音频信号处理等，SI1302DL-T1-GE3可以作为信号路径中的开关元件。它的快速开关特性和低电容特性使得它能够在不引入显著延迟的情况下进行信号切换。

 6. 保护电路
   SI1302DL-T1-GE3还可以用于各种保护电路中，如过流保护、短路保护等。它可以通过检测电流的变化来触发保护机制，防止电路因过载而损坏。

总之，SI1302DL-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关、信号切换以及保护电路等多种场合，特别适合于需要高效、紧凑设计的应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI1302DL-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	1.4nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	480 毫欧 @ 600mA，10V
供应商器件封装	SC-70-3
其它名称	SI1302DL-T1-GE3CT
功率-最大值	280mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-70，SOT-323
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	600mA （Ta）