ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1050X-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1050X-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1050X-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1050X-T1-GE3价格参考。VishaySI1050X-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 8V 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6。您可以下载SI1050X-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1050X-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1050X-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其典型应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换电路中的开关元件，具有低导通电阻（Rds(on)），可降低功耗并提高效率。 - 负载开关：在便携式设备中作为负载开关，控制电源的开启和关闭。 - 电池保护：用于锂电池或其他电池管理系统中，防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小功率直流电机驱动，如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路：在双向电机控制应用中，作为 H 桥的一部分实现正转、反转和制动功能。 3. 信号切换 - 信号路径切换：在通信设备或测试仪器中，用于高速信号路径的切换。 - 音频信号切换：在音响设备或耳机放大器中，用于音频信号的路由和隔离。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：用于车内的低功率电路，例如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等。 - LED 照明驱动：在汽车 LED 灯具中，用作恒流源或开关元件。 5. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理、电池保护和外围设备接口。 - 笔记本电脑：在电源适配器和内部电源分配电路中作为高效开关元件。 - 游戏设备：用于控制器、手柄等外设的电源管理和信号切换。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化系统中，用于传感器信号的切换和保护。 - 继电器替代：在需要快速开关和高可靠性的场合，取代传统机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，提升整体效率。 - 高开关速度：适合高频应用，如开关电源和脉宽调制 (PWM) 控制。 - 小封装尺寸 (SOT-23)：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SI1050X-T1-GE3 广泛应用于各种低功率、高效率的电子系统中，特别是在需要小型化、高性能和低功耗的设计场景下表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.34 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.34 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1050X-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1050X-T1-GE3SI1050X-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 236 mW |
| Pd-功率耗散 | 236 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 86 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 86 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 585pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 86 毫欧 @ 1.34A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1050X-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 236mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SC-89-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.34A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1050X-GE3 |
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