ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1050X-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI1050X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1050X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1050X-T1-E3价格参考。VishaySI1050X-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 8V 1.34A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6。您可以下载SI1050X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1050X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1050X-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电源的通断，降低功耗。 - 电池管理系统：用于锂电池保护电路，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，作为开关或PWM调速控制元件。 - 在H桥电路中，用于正向和反向电机控制。 3. 信号切换 - 用于音频信号切换、传感器信号切换等场景，实现低噪声、低失真的信号传输。 - 在多路复用器中，用作模拟开关。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流并限制过大电流，保护下游电路。 - ESD保护：利用其低寄生电容特性，减少静电对敏感电路的影响。 5. 消费类电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理模块。 - 在USB充电接口中，用作限流或保护元件。 6. 通信设备 - 在基站、路由器等通信设备中，用作高效功率开关或信号切换元件。 7. 工业应用 - 在工业自动化设备中，用于控制继电器、电磁阀或其他小功率负载。 - 在LED驱动电路中，用作恒流控制元件。 SI1050X-T1-E3凭借其低导通电阻（典型值为4.5mΩ@Vgs=10V）、高工作频率和出色的热性能，非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1050X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 585pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 86 毫欧 @ 1.34A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1050X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 236mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.34A （Ta） |
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