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Datasheet下载- 型号： SI1029X-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI1029X-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1029X-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1029X-T1-GE3价格参考。VishaySI1029X-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 60V 305mA，190mA 250mW 表面贴装 SC-89-6。您可以下载SI1029X-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1029X-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1029X-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI1029X-T1-GE3 常用于电源管理电路，特别是在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中。它能够有效地控制电源通断，确保设备在待机或休眠模式下消耗尽可能少的电流。此外，它还可以用于 DC-DC 转换器中，帮助实现高效的电压转换，减少能量损耗。 2. 负载开关 该器件可以用作负载开关，控制不同负载之间的电流流动。例如，在多电池供电系统中，MOSFET 阵列可以用于切换不同的电池组，确保系统始终使用最佳的电源。它的低导通电阻（Rds(on)）特性使得在高电流应用中能够减少发热，提高系统的可靠性。 3. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，SI1029X-T1-GE3 可以用作电机的开关元件。通过精确控制电机的启动和停止，它可以实现更高效的电机驱动，减少能耗。常见的应用场景包括风扇、泵和其他小型电动工具。 4. 信号切换 在需要频繁切换信号路径的电路中，如音频设备或多路复用器，SI1029X-T1-GE3 可以提供快速且可靠的信号切换功能。其低电容和快速开关速度使其非常适合高速信号处理应用。 5. 过流保护 由于其内置的热关断和过流保护功能，SI1029X-T1-GE3 可以用于保护电路免受过载和短路的影响。当检测到异常电流时，MOSFET 会自动关闭，防止进一步的损坏。 6. 通信设备 在通信设备中，如路由器、调制解调器等，SI1029X-T1-GE3 可以用于电源管理和信号切换，确保设备在不同工作模式下的稳定运行。其低噪声特性和快速响应能力有助于提高通信质量。 总的来说，SI1029X-T1-GE3 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和功率管理的应用场景，尤其是在便携式电子设备、通信设备和小型电机驱动等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 305MA SC89-6MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 1.25/5.0ohms@10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 305 mA |
| Id-连续漏极电流 | 305 mA |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71435 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1029X-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1029X-T1-GE3SI1029X-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms, 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms, 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1029X-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SC-89-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 305mA，190mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
| 零件号别名 | SI1029X-GE3 |
