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  • 型号: SI1021R-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI1021R-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1021R-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1021R-T1-GE3价格参考。VishaySI1021R-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 190mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A。您可以下载SI1021R-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1021R-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75AMOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

190 mA

Id-连续漏极电流

190 mA

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?71410

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1021R-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI1021R-T1-GE3SI1021R-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

23pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.7nC @ 15V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

P-Channel MOSFETs

供应商器件封装

SC-75A

其它名称

SI1021R-T1-GE3TR
SI1021RT1GE3

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75A

封装/箱体

SC-75A-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

190mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI1021R-GE3

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