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  • 型号: SI1016CX-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1016CX-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1016CX-T1-GE3价格参考¥0.39-¥0.39。VishaySI1016CX-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 220mW 表面贴装 SC-89-6。您可以下载SI1016CX-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1016CX-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6MOSFET 20V .5/.35A PCH COMPLIMENTARY

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

600 mA

Id-连续漏极电流

600 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1016CX-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI1016CX-T1-GE3SI1016CX-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

0.22 W

Pd-功率耗散

220 mW

Qg-GateCharge

0.75 nC, 1 nC

Qg-栅极电荷

0.75 nC, 1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

330 mOhms, 630 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

330 mOhms, 630 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.4 V to 1 V, - 0.4 V to - 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.4 V to 1 V, - 0.4 V to - 1 V

上升时间

16 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

43pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

396 毫欧 @ 500mA, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-89-6

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

220mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

2 S, 1 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

系列

SI1016CX

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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