Datasheet下载- 型号： SH8M24TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8M24TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8M24TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8M24TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SH8M24TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SH8M24TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8MOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8M24TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SH8M24TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 45 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SH8M24TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 46 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 45 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A，3.5A |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
