图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SH8K5TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8K5TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8K5TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8K5TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SH8K5TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SH8K5TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8K5TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SH8K5TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 107 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 107 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 83 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SH8K5TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 107 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A |
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