【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_SH8K3TB1】封装/厂家_SH8K3TB1中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： SH8K3TB1
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SH8K3TB1产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SH8K3TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8K3TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8K3TB1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 7A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8K3TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SH8K3TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	7 A
Id-连续漏极电流	7 A
品牌	Rohm Semiconductor
产品手册
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8K3TB1-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SH8K3TB1
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	25 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	600pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11.8nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	24 毫欧 @ 7A，10V
产品目录绘图
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOP
其它名称	SH8K3TB1CT
功率-最大值	2W
包装	剪切带（CT）
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOP-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	5 S
漏源极电压(Vdss)	30V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7A