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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8J65TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8J65TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8J65TB1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 7A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8J65TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SH8J65TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的SH8J65TB1是一款晶体管-FET、MOSFET阵列产品,其应用场景广泛适用于以下领域: 1. 便携式电子设备:SH8J65TB1由于其低功耗和小型化设计,非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等需要高效能与小体积的电子产品中。它可以有效地控制电源开关和信号传输。 2. 电源管理:该器件可用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关以及电池保护电路等。它能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻,从而提高效率并减少能量损耗。 3. 通信设备:在路由器、调制解调器和其他网络设备中,SH8J65TB1可以作为信号路径上的开关使用,确保数据传输的稳定性和可靠性。 4. 消费类电子产品:包括数码相机、游戏机、音频设备等在内的众多消费类产品都可以利用这款MOSFET阵列来实现更好的性能表现。例如,在音频设备中用作音量调节或静音功能的电子开关。 5. 工业自动化:在工厂自动化系统里,此型号可能被用来驱动小型电机或者控制传感器的供电状态,帮助构建更加精确和高效的生产线控制系统。 6. 汽车电子:尽管主要定位于消费级市场,但在某些非核心汽车电子模块(如车内照明控制、娱乐系统)也可能采用此类组件以达到节能效果。 总之,SH8J65TB1凭借其优异的电气特性和紧凑的设计,成为众多需要高性能、低功耗解决方案的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8MOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8J65TB1- |
数据手册 | |
产品型号 | SH8J65TB1 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 7A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | SH8J65TB1CT |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOP-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A |