ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SH8J62TB1
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SH8J62TB1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8J62TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8J62TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8J62TB1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8J62TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SH8J62TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8J62TB1- |
数据手册 | |
产品型号 | SH8J62TB1 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | SH8J62TB1DKR |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOP-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |