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  • 型号: SH8J62TB1
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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SH8J62TB1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SH8J62TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8J62TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8J62TB1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8J62TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SH8J62TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8J62TB1-

数据手册

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产品型号

SH8J62TB1

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

56 毫欧 @ 4.5A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

SH8J62TB1DKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.5 S

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A

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