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产品简介:
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参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 15ns/36ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
描述 | IGBT 600V 16A 55W TO220FIGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 30nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGS10N60RUFDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | SGS10N60RUFDTU |
SwitchingEnergy | 141µJ (开), 215µJ (关) |
TestCondition | 300V, 10A, 20 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,10A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 55W |
功率耗散 | 55 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
反向恢复时间(trr) | 60ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 16 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
系列 | SGS10N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
集电极最大连续电流Ic | 16 A |
零件号别名 | SGS10N60RUFDTU_NL |