ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > SGP10N60RUFDTU
Datasheet下载- 型号： SGP10N60RUFDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGP10N60RUFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP10N60RUFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP10N60RUFDTU封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 16A 75W Through Hole TO-220-3。您可以下载SGP10N60RUFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGP10N60RUFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 15ns/36ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
| 描述 | IGBT 600V 16A 75W TO220IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 30nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGP10N60RUFDTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SGP10N60RUFDTU |
| SwitchingEnergy | 141µJ （开）， 215µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 10A, 20 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V，10A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | SGP10N60RUFDTU-ND |
| 功率-最大值 | 75W |
| 功率耗散 | 75 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 16 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 16A |
| 系列 | SGP10N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 16 A |
| 零件号别名 | SGP10N60RUFDTU_NL |
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