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Datasheet下载- 型号： SE2470-002
- 制造商： Honeywell Solid State Electronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SE2470-002产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SE2470-002由Honeywell Solid State Electronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SE2470-002价格参考。Honeywell Solid State ElectronicsSE2470-002封装/规格：红外，UV，可见光发射器， Infrared (IR) Emitter 880nm 1.8V 75mA 6mW/sr @ 50mA 18° Mini-pill。您可以下载SE2470-002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SE2470-002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Honeywell Sensing and Productivity Solutions的SE2470-002是一款红外发射器，主要用于需要稳定、高效红外光源的应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 工业自动化： SE2470-002可以用于传感器系统中，提供稳定的红外光源，帮助检测物体的存在、位置或运动状态。例如，在生产线上的物料检测或包装完整性检查中发挥重要作用。 2. 安全监控与安防系统： 红外发射器常用于夜视摄像头或运动探测器中，为低光照或完全黑暗环境下的监控提供辅助照明。SE2470-002的高性能和可靠性使其成为理想选择。 3. 医疗设备： 在某些医疗设备中，红外发射器可用于非侵入式监测，例如脉搏血氧仪或血糖监测仪中的光学传感部分。SE2470-002能够提供精确且稳定的光源支持。 4. 消费电子产品： 该型号可应用于遥控器、手势识别设备或其他需要红外通信或传感功能的消费类电子产品中，确保信号传输的准确性和稳定性。 5. 条码扫描与数据采集： Honeywell作为传感与生产力解决方案领域的领导者，其红外发射器广泛应用于条码扫描枪中，为条码读取提供必要的光源支持。 6. 机器人与无人机： 在自主导航或避障系统中，红外发射器可用作测距或环境感知的一部分，帮助机器人或无人机实现更精准的操作。 7. 科学研究与实验： SE2470-002也可用于实验室环境中，支持光谱分析、材料研究或其他需要高精度红外光源的科学实验。 总之，SE2470-002凭借其出色的性能和可靠性，适用于多种对红外光源有需求的技术领域，能够在复杂环境下提供稳定高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE IR EMITTING ALGAAS PILL PK红外发射源 AlGaAs Emiting Diode Mini Hermetically |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Honeywell Sensing and Control |
| 产品手册 | http://sensing.honeywell.com/index.cfm?ci_id=140301&la_id=1&pr_id=131441 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 红外发射源,Honeywell SE2470-002- |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://sensing.honeywell.com/index.php/ci_id/47913/la_id/1/document/1/re_id/0 |
| 产品型号 | SE2470-002 |
| 不同If时的辐射强度(Ie)（最小值） | 6mW/sr @ 50mA |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 红外发射源 |
| 其它名称 | 480-1980 |
| 功率额定值 | 125 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Honeywell |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 微型粒状 |
| 封装/箱体 | Metal Pill |
| 显示角 | 18 deg |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大正向电流 | 75 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 880nm |
| 照明颜色 | Infrared |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.8V |
| 电流-DC正向(If) | 75mA |
| 视角 | 18° |
| 透镜形状 | Circular |
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SE2470 AlGaAs Infrared Emitting Diode FEATURES • Miniature, hermetically sealed, pill style, metal can package • 18¡ (nominal) beam angle • Wide operating temperature range ( 55¡C to +125¡C) • Higher power output than GaAs at equivalent drive currents • Ideal for direct mounting to printed circuit boards • 880 nm wavelength • Mechanically and spectrally matched to SD2420 photodiode, SD2440 phototransistor and SD2410 photodarlington INFRA--1.TIF DESCRIPTION OUTLINE DIMENSIONSin inches (mm) The SE2470 is a high intensity aluminum gallium Tolerance 3 plc decimals ±0.005(0.12) arsenide infrared emitting diode mounted in a 2 plc decimals ±0.020(0.51) hermetically sealed, glass lensed, metal can package. This package directly mounts in double sided PC boards. These devices typically exhibit 70% greater power intensity than gallium arsenide devices at the same forward current. DIM_002.ds4 h Honeywell reserves the right to make 20 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SE2470 AlGaAs Infrared Emitting Diode ELECTRICAL CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SCHEMATIC (25¡C Free-Air Temperature unless otherwise noted) Continuous Forward Current 75 mA Power Dissipation 125 mW [À] Operating Temperature Range -55¡C to 125¡C Storage Temperature Range -65¡C to 150¡C Soldering Temperature (10 sec) 260¡C Notes 1. Derate linearly from 25¡C free-air temperature at the rate of 1.19 mW/¡C,when soldered into a double sided printed circuit board. Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 21 supply the best products possible.
SE2470 AlGaAs Infrared Emitting Diode Fig. 1 Radiant Intensity vs Fig. 2 Radiant Intensity vs Angular Displacement gra_111.ds4 Forward Current gra_016.ds4 1.0 1.0 0.9 0.9 iiit tt vsyaenen 00000.....45678 lii rt zaedadanmiitt synen 00000.....45678 leR 00..23 roN 00..23 0.1 0.1 0.0 0.0 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 0.0 10.0 20.0 30.0 40.0 50.0 Angular displacement - degrees Forward current - mA Fig. 3 Forward Voltage vs Fig. 4 Forward Voltage vs Forward Current gra_204.ds4 Temperature gra_202.ds4 1.8 1.6 1.7 V V 1.5 -age 11..56 -age 1.4 ltvo 1.4 ltvo 1.3 d d rroaw 11..23 rroaw 1.2 IF = 20 mA F F 1.1 1.1 1.0 1.0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Forward current - mA Temperature - °C Fig. 5 Spectral Bandwidth Fig. 6 Coupling Characteristics gra_011.ds4 with SD2440 gra_015.ds4 1.0 1.0 0.9 0.9 iiit tt vsyaenen 00000.....45678 li lit zaedghmt rrcuen 00000.....45678 leR 00..23 roN 0.3 0.2 0.1 0.1 0.0 760 800 840 880 920 960 1000 0.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Wavelength - nm Lens-to-lens separation - inches h Honeywell reserves the right to make 22 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SE2470 AlGaAs Infrared Emitting Diode Fig. 7 Normalized Power Output vs Temperature gra_131.ds4 2.0 t u 1.8 p tu 1.6 o r e 1.4 w 1.2 o dp 1.0 IF = 50 mA e .8 z liam ..46 IF = 20 mA roN .2 0 -50 -25 0 +25 +50 +75 +100 +125 T - Ambient temperature - (°C) A All Performance Curves Show Typical Values Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 23 supply the best products possible.