ICGOO在线商城 > SDP8407-001
Datasheet下载- 型号： SDP8407-001
- 制造商： Honeywell Solid State Electronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SDP8407-001产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SDP8407-001由Honeywell Solid State Electronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供SDP8407-001价格参考以及Honeywell Solid State ElectronicsSDP8407-001封装/规格参数等产品信息。 你可以下载SDP8407-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有SDP8407-001详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN光电晶体管 Silicon Phototransis |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Honeywell Sensing and Control |
| 产品手册 | http://sensing.honeywell.com/product%20page?pr_id=40532 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光电晶体管,Honeywell SDP8407-001- |
| 数据手册 | http://sensing.honeywell.com/index.php?ci_id=142042 |
| 产品型号 | SDP8407-001 |
| 上升时间 | 15 us |
| 下降时间 | 15 us |
| 产品 | Phototransistors |
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 其它名称 | 480-5171 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 商标 | Honeywell |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 封装/箱体 | End Looking |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 880nm |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-暗(Id)（最大值） | 100nA |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 视角 | 135° |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
SDP8407 Silicon Phototransistor FEATURES • End-looking plastic package • 135¡ (nominal) acceptance angle • Low profile for design flexibility • Mechanically and spectrally matched to SEP8507 infrared emitting diode INFRA-16.TIF DESCRIPTION OUTLINE DIMENSIONSin inches (mm) The SDP8407 is an NPN silicon phototransistor molded Tolerance 3 plc decimals ±0.008(0.20) in an end-looking black plastic package. The chip is 2 plc decimals ±0.020(0.51) positioned to accept radiation from the top of the package. Lead lengths are staggered to provide a simple method of polarity identification. DIM_018.ds4 h Honeywell reserves the right to make 124 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SDP8407 Silicon Phototransistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SCHEMATIC (25¡C Free-Air Temperature unless otherwise noted) Collector-Emitter Voltage 30 V Emitter-Collector Voltage 5 V Power Dissipation 100 mW [À] Operating Temperature Range -40¡C to 85C Storage Temperature Range -40¡C to 85¡C Soldering Temperature (5 sec) 240¡C Notes 1. Derate linearly from 25¡C free-air temperature at the rate of 0.66 mW/¡C. Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 125 supply the best products possible.
SDP8407 Silicon Phototransistor SWITCHING TIME TEST CIRCUIT SWITCHING WAVEFORM cir_015.cdr cir_004.cdr Fig. 1 Responsivity vs Fig. 2 Collector Current vs Angular Displacement gra_055.ds4 Ambient Temperature gra_039.ds4 1.0 2.0 0.9 e 0.8 ro 1.6 lit rvsseaeepon 00000.....34567 li lltzccaedoemt rrcuen 01..82 R 00..12 roN 0.4 0.0 -160 -120 -80 -40 0 +40 +80 +120 +160 0.0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Angular displacement - degrees Ambient temperature - °C Fig. 3 Dark Current vs Fig. 4 Spectral Responsivity Temperature gra_301.cdr gra_036.ds4 1.0 0.9 e 0.8 s on 0.7 sp 0.6 e re 0.5 litvea 00..34 R 0.2 0.1 400 600 800 1000 1200 Wavele ngth - nm All Performance Curves Show Typical Values h Honeywell reserves the right to make 126 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SDP8407 Silicon Phototransistor Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 127 supply the best products possible.