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Datasheet下载- 型号： SD4933
- 制造商： STMicroelectronics
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SD4933产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SD4933由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD4933价格参考。STMicroelectronicsSD4933封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 50V 250mA 30MHz 24dB 300W M177。您可以下载SD4933参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SD4933 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的SD4933是一款N沟道增强型射频MOSFET，属于晶体管中的射频功率器件，广泛应用于高频、小信号放大和射频开关等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在高频条件下高效工作。 SD4933主要适用于无线通信系统中的射频前端模块，如Wi-Fi 6（802.11ax）、蓝牙、物联网（IoT）设备以及智能家居产品中的射频信号切换与放大。其优异的射频性能使其在2.4 GHz和5 GHz频段表现稳定，常用于天线开关、功率放大器旁路开关和射频路径选择电路中，提升信号传输效率并降低功耗。 此外，SD4933也适用于移动设备和便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，因其小型化封装（如DFN）和低功耗特性，有助于节省电路板空间并延长电池续航时间。 总之，SD4933凭借其高性能和高集成度，是现代无线通信和射频控制应用中的理想选择，尤其适合对尺寸、功耗和射频性能有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177射频MOSFET晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics SD4933- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SD4933 |
| Pd-PowerDissipation | 648 W |
| Pd-功率耗散 | 648 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | M177 |
| 其它名称 | 497-10702 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1988/SC519/PF223358?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 300W |
| 功率耗散 | 648 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24 dB at 30 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | M177 |
| 封装/箱体 | M177 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/sd4933-nchannel-mosfet/50108 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 200V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 系列 | SD4933 |
| 输出功率 | 300 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 100 MHz |
| 额定电流 | 40A |
