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Datasheet下载- 型号： SCT2450KEC
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2450KEC由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2450KEC价格参考￥21.27-￥21.27。ROHM SemiconductorSCT2450KEC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 10A（Tc） 85W（Tc） TO-247。您可以下载SCT2450KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCT2450KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SCT2450KEC 是一款由东芝（Toshiba）生产的碳化硅 (SiC) MOSFET，它具有高效率、高耐压和快速开关的特点。这款器件广泛应用于各种电力电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的应用场景下。 1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) SCT2450KEC 在电动汽车和混合动力汽车的逆变器中表现出色。其高耐压特性（1700V）使其能够承受车辆驱动系统的高压需求，而低导通电阻则有助于减少能量损耗，提高续航里程。此外，快速开关特性使得它在高频工作条件下依然保持高效，降低了系统发热，提升了整体性能。 2. 太阳能逆变器 在太阳能发电系统中，SCT2450KEC 可用于将光伏板产生的直流电转换为交流电。由于其高效的开关特性和低损耗，该器件能够在逆变器中实现更高的转换效率，减少能量损失，从而提升整个系统的发电效率。特别是在高温环境下，SiC MOSFET 的热稳定性更好，进一步增强了系统的可靠性。 3. 不间断电源 (UPS) 在数据中心和其他关键设施中，UPS 系统是确保电力供应连续性的重要设备。SCT2450KEC 的高耐压和快速开关特性使得它非常适合用于 UPS 的功率转换模块，能够在短时间内完成从市电到电池供电的切换，同时保持高效运行，减少能量损耗，延长电池寿命。 4. 工业电机驱动 SCT2450KEC 还可用于工业自动化中的电机驱动系统。其高效率和快速响应能力使得它能够精确控制电机的速度和扭矩，适用于精密制造、机器人等对性能要求较高的场合。此外，SiC MOSFET 的耐用性和可靠性也使得它在恶劣工业环境中表现出色。 5. 充电基础设施 随着电动汽车市场的快速发展，快速充电桩的需求也在增加。SCT2450KEC 可用于这些充电桩的功率转换模块，提供高效的电能传输，缩短充电时间，同时降低系统能耗和散热需求。 总之，SCT2450KEC 凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为多个领域的理想选择，特别是在需要高效、紧凑和高性能电力转换的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247MOSFET SiC FET 1200V 5A 450mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2450KEC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SCT2450KEC |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Qg-GateCharge | 27 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V to 22 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V to + 22 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V to 4 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 900µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 463pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 18V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 585 毫欧 @ 3A， 18V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 360 |
| 应用说明 | |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 360 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 配置 | Single |
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