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Datasheet下载- 型号： SCT2450KEC
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2450KEC由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2450KEC价格参考￥21.27-￥21.27。ROHM SemiconductorSCT2450KEC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 10A（Tc） 85W（Tc） TO-247。您可以下载SCT2450KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCT2450KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的SCT2450KEC是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其应用场景广泛，尤其适用于需要高效能、低损耗和快速响应的电路设计。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理：SCT2450KEC常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统中。它的低导通电阻有助于减少传导损耗，提高整体效率，特别是在高频开关应用中表现尤为突出。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路中，SCT2450KEC可以作为功率级元件，实现高效的电流控制和切换。其快速开关特性能够减少电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和可靠性。 3. 负载开关：在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，SCT2450KEC可用作负载开关，实现对不同负载的快速通断控制，同时保持低静态功耗。 4. 保护电路：该MOSFET还适用于过流保护、短路保护等安全电路中。其低导通电阻和快速响应能力可以帮助系统在异常情况下迅速切断电流，保护其他敏感元件免受损害。 5. 音频放大器：在D类音频放大器中，SCT2450KEC可以用作输出级开关管，提供高效能和低失真的音频信号放大。其高开关速度有助于减少开关噪声，提升音质表现。 6. 汽车电子：在汽车电子领域，SCT2450KEC可用于车身控制系统、LED照明驱动、电动助力转向（EPS）等应用中。其出色的温度特性和可靠性使其能够在严苛的车载环境中稳定工作。 总之，SCT2450KEC凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多高性能、高可靠性的电子系统中的关键元件，特别适合对效率和响应速度有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247MOSFET SiC FET 1200V 5A 450mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2450KEC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SCT2450KEC |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Qg-GateCharge | 27 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V to 22 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V to + 22 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V to 4 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 900µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 463pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 18V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 585 毫欧 @ 3A， 18V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 360 |
| 应用说明 | |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 360 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 配置 | Single |
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