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SCT2280KEC产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2280KEC由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2280KEC价格参考。ROHM SemiconductorSCT2280KEC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 14A(Tc) 108W(Tc) TO-247。您可以下载SCT2280KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SCT2280KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体(Rohm Semiconductor)的SCT2280KEC是一款单通道MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子设备中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电源管理:SCT2280KEC常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,SCT2280KEC可用于控制电机的速度和方向。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行稳定可靠。 3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统和便携式电子产品中,SCT2280KEC可以作为电池保护电路中的关键元件,防止过充、过放和短路等问题,延长电池寿命。 4. 负载切换与保护:该器件适用于需要频繁切换负载的应用,如智能插座、LED照明和通信设备。它能够在毫秒级时间内完成开关动作,并提供过流、过热等多重保护功能。 5. 信号处理与放大:尽管主要用作功率开关,SCT2280KEC也可以用于一些低频信号的放大和传输,特别是在对噪声敏感的环境中,其优异的电气性能可以保证信号的完整性和稳定性。 6. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器和变频空调等设备中,SCT2280KEC能有效提升系统的响应速度和动态性能,实现更精准的能量转换和调节。 总之,SCT2280KEC凭借其出色的电气参数和可靠性,在众多电力电子应用领域中发挥着重要作用,尤其适合那些对效率、安全性和耐用性有较高要求的产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247MOSFET MOSFET SiC FET 1200V 14A 280mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | SiCFET N 通道,碳化硅 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2280KEC- |
数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://www.qats.com/pushPIN/DataSheet/ATS-04E-62-C3-R0 |
产品型号 | SCT2280KEC |
Pd-PowerDissipation | 108 W |
Pd-功率耗散 | 108 W |
Qg-GateCharge | 36 nC |
Qg-栅极电荷 | 36 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V to 22 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V to + 22 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V to 4 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 29 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1.4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 667pF @ 800V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 18V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 364 毫欧 @ 4A, 18V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
典型关闭延迟时间 | 47 ns |
功率-最大值 | 108W |
包装 | 管件 |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 360 |
应用说明 | |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 360 |
正向跨导-最小值 | 1.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
配置 | Single |