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  • 型号: SCT2160KEC
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2160KEC由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2160KEC价格参考¥55.45-¥89.14。ROHM SemiconductorSCT2160KEC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 165W(Tc) TO-247。您可以下载SCT2160KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SCT2160KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247MOSFET FET: 1200V 20A 160mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

SiCFET N 通道,碳化硅

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2160KEC-

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产品型号

SCT2160KEC

Pd-PowerDissipation

165 W

Pd-功率耗散

165 W

Qg-GateCharge

62 nC

Qg-栅极电荷

62 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.2 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

25 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 2.5mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 800V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

62nC @ 18V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

208 毫欧 @ 7A, 18V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

典型关闭延迟时间

67 ns

功率-最大值

165W

包装

管件

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

360

应用说明

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晶体管极性

N-Channel

标准包装

360

正向跨导-最小值

2.4 S

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

配置

Single

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