ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SCT2160KEC
Datasheet下载- 型号： SCT2160KEC
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2160KEC由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2160KEC价格参考￥55.45-￥89.14。ROHM SemiconductorSCT2160KEC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 165W（Tc） TO-247。您可以下载SCT2160KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCT2160KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的SCT2160KEC是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SCT2160KEC常用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。此外，它还可以用于电池充电管理电路，确保电流在安全范围内流动。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，SCT2160KEC可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。由于其快速开关特性和较低的热损耗，适用于需要频繁启停或调速的场合，如电动工具、家用电器中的风扇或泵等。 3. 负载开关 在便携式电子设备中，SCT2160KEC可以用作负载开关，控制不同模块之间的电源分配。例如，在智能手机和平板电脑中，它可以用来切断未使用的模块的电源，从而延长电池寿命。 4. 保护电路 SCT2160KEC还可以用于过流保护和短路保护电路。当检测到异常电流时，MOSFET可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。这种保护功能在汽车电子、工业控制系统中尤为重要。 5. 信号切换 在通信设备和音频系统中，SCT2160KEC可以用作信号切换元件。它能够快速响应并切换不同的信号路径，确保信号传输的稳定性和可靠性。例如，在多路复用器或解复用器中，MOSFET可以实现高效的信号选择和传输。 6. LED驱动 对于LED照明系统，SCT2160KEC可以用作电流调节器或开关元件，确保LED在恒定电流下工作，从而提高亮度和寿命。它还适用于调光控制，通过PWM（脉宽调制）方式调节LED亮度。 总结： SCT2160KEC凭借其优异的性能和可靠性，适用于多种场景，包括电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路、信号切换和LED驱动等。其低功耗、快速响应和高耐压特性使其成为众多电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247MOSFET FET: 1200V 20A 160mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2160KEC- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SCT2160KEC |
| Pd-PowerDissipation | 165 W |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| Qg-GateCharge | 62 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 18V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 208 毫欧 @ 7A， 18V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 67 ns |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 360 |
| 应用说明 | |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 360 |
| 正向跨导-最小值 | 2.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 配置 | Single |
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