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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2160KEC由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2160KEC价格参考¥55.45-¥89.14。ROHM SemiconductorSCT2160KEC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 165W(Tc) TO-247。您可以下载SCT2160KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SCT2160KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247MOSFET FET: 1200V 20A 160mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | SiCFET N 通道,碳化硅 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2160KEC- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | SCT2160KEC |
Pd-PowerDissipation | 165 W |
Pd-功率耗散 | 165 W |
Qg-GateCharge | 62 nC |
Qg-栅极电荷 | 62 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 800V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 18V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 208 毫欧 @ 7A, 18V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
典型关闭延迟时间 | 67 ns |
功率-最大值 | 165W |
包装 | 管件 |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 360 |
应用说明 | |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 360 |
正向跨导-最小值 | 2.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
配置 | Single |