ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SCT2080KEC
Datasheet下载- 型号： SCT2080KEC
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCT2080KEC由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCT2080KEC价格参考。ROHM SemiconductorSCT2080KEC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 40A（Tc） 262W（Tc） TO-247。您可以下载SCT2080KEC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCT2080KEC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247MOSFET SiC N-Ch MOSFET w/out SBD 18V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SCT2080KEC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SCT2080KEC |
| Pd-PowerDissipation | 179 W |
| Pd-功率耗散 | 179 W |
| Qg-GateCharge | 106 nC |
| Qg-栅极电荷 | 106 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 4.4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2080pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 106nC @ 18V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 117 毫欧 @ 10A， 18V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 76 ns |
| 功率-最大值 | 179W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 360 |
| 应用说明 | |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 360 |
| 正向跨导-最小值 | 3.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/1200-v-voltage-resistance-sic-mosfets/50241 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 配置 | Single |
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