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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBR40U100CTE由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBR40U100CTE价格参考。Diodes Inc.SBR40U100CTE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBR40U100CTE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBR40U100CTE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的SBR40U100CTE是一款超快速恢复整流器阵列,广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - SBR40U100CTE适用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中的整流功能,能够高效地将交流电转换为直流电。 - 在多路输出电源设计中,该器件可同时处理多个通道的整流需求。 2. 电机驱动与控制 - 在小型电机驱动电路中,用于整流和保护,确保电流平稳流动并减少反向电动势的影响。 - 适用于家用电器(如风扇、泵等)中的电机控制模块。 3. 逆变器与太阳能系统 - 在光伏逆变器中,作为关键元件进行能量转换和调节,提高系统的效率和可靠性。 - 可用于电池充电电路中的整流部分,防止电流回流损坏设备。 4. 通信设备 - 适用于电信基站、路由器和其他通信设备的电源模块,提供高效的功率转换。 - 在信号调理电路中,用作保护二极管以避免过压或反向电流损害敏感组件。 5. 消费类电子产品 - 在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源电路中,实现高效整流。 - 用于USB充电端口的保护电路,防止不当连接导致的损坏。 6. 汽车电子 - 在车载电子系统中,例如信息娱乐系统、照明控制和传感器接口,提供稳定的电源整流功能。 - 用于保护电路,防止电压波动对敏感元器件造成影响。 特性优势: - 低正向压降:减少功率损耗,提高整体效率。 - 快速恢复时间:适合高频开关应用,降低开关损耗。 - 高可靠性:能够在严苛环境下长期稳定工作。 综上所述,SBR40U100CTE凭借其高性能参数,适用于多种需要高效整流和保护的场景,特别是在电源管理和功率转换领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SBR 100V 20A TO262肖特基二极管与整流器 40A 100V 40A 100V |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated SBR40U100CTESBR® |
数据手册 | |
产品型号 | SBR40U100CTE |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 780mV @ 20A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 100V |
二极管类型 | 超级势垒 |
二极管配置 | 1 对共阴极 |
产品 | Schottky Diodes |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=13401 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | SBR40U100CTEDI |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | TO-262 |
峰值反向电压 | 100 V |
工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 500 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 240 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
正向电压下降 | 0.78 V at 20 A |
正向连续电流 | 40 A |
热阻 | 3°C/W Jc |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/DiodesInc/sbr.html |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 20A |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |