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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBC856BDW1T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC856BDW1T3G价格参考。ON SemiconductorSBC856BDW1T3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SBC856BDW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBC856BDW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBC856BDW1T3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列。该型号的应用场景主要集中在需要高精度、低功耗和高性能的电子电路设计中,具体应用场景包括: 1. 信号放大: SBC856BDW1T3G 可用于音频设备、传感器信号调理电路等场景中的信号放大。其双极性晶体管阵列特性使其能够提供稳定的增益性能,适合处理微弱信号。 2. 开关电路: 在需要快速切换的小功率开关应用中,例如 LED 驱动、继电器控制或小型电机驱动,该器件可以作为高效的开关元件使用。 3. 电源管理: 该型号可用于简单的稳压器或电流限制电路中,帮助实现更精确的电源管理和保护功能。 4. 通信设备: 在通信领域,SBC856BDW1T3G 可用于射频前端模块中的低噪声放大器或混频器电路,支持高频信号的处理。 5. 消费电子产品: 包括家用电器、遥控器、便携式设备等,该晶体管阵列可为这些产品提供可靠且经济高效的解决方案。 6. 工业自动化: 在工业控制中,这款 BJT 阵列可用于驱动小型执行器、监测传感器数据或实现逻辑控制功能。 7. 测试与测量仪器: 由于其高稳定性和一致性,SBC856BDW1T3G 也可应用于精密测量设备中,如示波器、信号发生器等。 总体而言,SBC856BDW1T3G 凭借其紧凑的设计和优异的电气性能,适用于多种需要小信号处理、开关控制及电源管理的场景。选择具体应用时需根据电路需求匹配其工作电压、电流及频率参数。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SBC856BDW1T3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 380mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
频率-跃迁 | 100MHz |