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  • 型号: SBC856ALT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SBC856ALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC856ALT1G价格参考。ON SemiconductorSBC856ALT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBC856ALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBC856ALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 65V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SBC856ALT1G-

数据手册

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产品型号

SBC856ALT1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

125 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

250

系列

SBC856ALT1G

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 65 V

集电极—基极电压VCBO

- 80 V

集电极—射极饱和电压

- 0.3 V

集电极连续电流

- 100 mA

频率-跃迁

100MHz

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