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  • 型号: SBC807-16LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SBC807-16LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC807-16LT1G价格参考¥0.15-¥0.38。ON SemiconductorSBC807-16LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 500mA 100MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载SBC807-16LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBC807-16LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的SBC807-16LT1G是一款单个双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
SBC807-16LT1G常用于电源管理电路,如开关电源、线性稳压器等。它能够有效地控制电流的开关状态,帮助实现高效的电压调节。在这些应用中,该晶体管可以作为开关元件或放大器,确保电源系统的稳定性和可靠性。

 2. 信号放大
该晶体管适用于需要高增益和低噪声的信号放大电路。它可以将微弱的输入信号放大到足够的强度,以便进一步处理或传输。例如,在音频设备中,SBC807-16LT1G可以用于前置放大器,提升音质的同时减少失真。

 3. 电机驱动
在小型电机驱动电路中,SBC807-16LT1G可以用来控制电机的启动、停止和速度调节。通过精确控制电流的流动,该晶体管能够实现对电机的有效驱动,适用于玩具、家用电器等需要简单电机控制的场景。

 4. 保护电路
SBC807-16LT1G还常用于过流保护和短路保护电路。当检测到异常电流时,该晶体管可以迅速切断电流路径,防止电路损坏。这种保护功能在工业控制系统、汽车电子等领域尤为重要。

 5. 通信设备
在一些通信设备中,SBC807-16LT1G可以用作射频(RF)信号的放大器或调制器。它的高频特性使其适合于无线通信、蓝牙模块等应用,确保信号的稳定传输。

 6. 消费电子产品
该晶体管也广泛应用于消费电子产品中,如遥控器、智能手表等。它可以在这些设备中担任多种角色,包括信号处理、功率控制等,帮助提高产品的性能和用户体验。

总之,SBC807-16LT1G凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,成为许多电子设计中的关键元件,尤其适用于需要高效、可靠电流控制和信号放大的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 45V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT SS GP XSTR SPCL TR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SBC807-16LT1G-

数据手册

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产品型号

SBC807-16LT1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

700mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

100 at 100 mA at 1 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V

系列

BC807-16L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

频率-跃迁

100MHz

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