ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > SB1100E-G
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SB1100E-G由COMCHIP TECHNOLOGY设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SB1100E-G价格参考。COMCHIP TECHNOLOGYSB1100E-G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 100V 1A DO-41。您可以下载SB1100E-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SB1100E-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Comchip Technology品牌的SB1100E-G二极管是一款单整流器二极管,主要应用于低压、大电流的整流电路中。该型号的二极管具有以下特点和应用场景: 1. 电源适配器与充电器 SB1100E-G常用于各种电源适配器和充电器中,特别是在需要将交流电转换为直流电的场合。它能够承受较高的正向电流(IF = 1A),并且具有较低的正向压降(VF ≈ 1V),这有助于提高电源转换效率,减少能量损耗。 2. 消费电子设备 在消费电子产品中,如电视、音响、家用电器等,SB1100E-G可以作为整流元件,确保设备内部电路接收到稳定的直流电源。其紧凑的设计使其适合用于小型化、轻量化的电子产品中。 3. 工业控制设备 在工业自动化系统中,SB1100E-G可用于驱动电机、传感器或其他负载的电源整流部分。它能够承受一定的反向电压(VRM = 100V),并在高频开关应用中表现出良好的性能,适用于变频器、逆变器等设备。 4. 汽车电子 汽车电子系统中,SB1100E-G可用于车载充电器、电池管理系统等场景。它能够在较宽的工作温度范围内稳定工作(-55°C至+175°C),适应汽车环境中复杂的温度变化。 5. LED照明 在LED照明驱动电路中,SB1100E-G可以用作整流元件,将市电转换为适合LED工作的直流电。其低反向漏电流特性有助于提高LED灯的寿命和可靠性。 6. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中,SB1100E-G可用于电源模块中的整流部分,确保通信设备在长时间运行时保持稳定的供电。 总结: SB1100E-G二极管凭借其高电流承载能力、低正向压降以及宽工作温度范围,广泛应用于电源适配器、消费电子、工业控制、汽车电子、LED照明和通信设备等领域。它在低压、大电流的应用场景中表现尤为出色,能够有效提高系统的效率和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41肖特基二极管与整流器 Low VF ESD 1A 100V Schottky Rectifier |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Comchip Technology |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Comchip Technology SB1100E-G- |
数据手册 | |
产品型号 | SB1100E-G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 850mV @ 1A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 100V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Rectifiers |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=19180 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | DO-41 |
其它名称 | 641-1412-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Comchip Technology |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
封装/箱体 | DO-41 |
峰值反向电压 | 100 V |
工作温度-结 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 5000 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 0.5 mA |
最大浪涌电流 | 30 A |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 0.85 V |
正向连续电流 | 1 A |
热阻 | 80°C/W Ja |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
电流-平均整流(Io) | 1A |
系列 | SB1100E |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |