数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SA5230DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SA5230DR2G价格参考。ON SemiconductorSA5230DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SA5230DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SA5230DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
-3db带宽 | - |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to Rail Industrial Temp |
产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps集成电路 - IC |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 放大器 IC,运算放大器 - 运放,ON Semiconductor SA5230DR2G- |
数据手册 | |
产品型号 | SA5230DR2G |
产品种类 | 运算放大器 - 运放 |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
共模抑制比—最小值 | 85 dB |
关闭 | No Shutdown |
其它名称 | SA5230DR2GOSCT |
包装 | 剪切带 (CT) |
压摆率 | 0.25 V/µs |
双重电源电压 | +/- 3 V, +/- 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽生成 | 250 kHz |
增益带宽积 | 600kHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工作电源电压 | 1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V |
工厂包装数量 | 2500 |
技术 | Bipolar |
放大器类型 | Low Voltage Amplifier |
最大双重电源电压 | +/- 7.5 V |
最大工作温度 | + 85 C |
最小双重电源电压 | +/- 0.9 V |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
电压-电源,单/双 (±) | 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V |
电压-输入失调 | 400µV |
电流-电源 | 1.1mA |
电流-输入偏置 | 40nA |
电流-输出/通道 | 32mA |
电源电流 | 0.11 mA |
电路数 | 1 |
系列 | NE5230 |
转换速度 | 0.09 V/us |
输入偏压电流—最大 | 150 nA |
输入参考电压噪声 | 60 nV |
输入补偿电压 | 3 mV |
输出电流 | 6 mA |
输出类型 | 满摆幅 |
通道数量 | 1 Channel |