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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RZE002P02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RZE002P02TL价格参考¥0.37-¥0.37。ROHM SemiconductorRZE002P02TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RZE002P02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RZE002P02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RZE002P02TL 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款晶体管,属于 FET、MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理: RZE002P02TL 适用于各种电源管理电路,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块。它能够高效地控制电流的开关,从而实现节能和稳定供电。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,这款 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 电池保护: 该型号可用于电池保护电路中,防止过充、过放或短路等异常情况。通过快速响应和精确的电流控制,确保电池的安全性和寿命。 4. 消费电子设备: 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,RZE002P02TL 可用于信号切换、背光驱动以及音频放大等功能模块,提供高效的性能和可靠性。 5. 工业自动化: 在工业领域,这款 MOSFET 可用于传感器接口、继电器驱动和信号隔离等场景。其耐用性和稳定性适合复杂的工业环境。 6. 通信设备: 在通信基站、路由器和交换机等设备中,RZE002P02TL 可用于功率放大、信号调理和电源分配等任务,支持高速数据传输和稳定的通信性能。 7. 汽车电子: 针对汽车应用,如车载信息娱乐系统、电动助力转向(EPS)和车身控制模块(BCM),该 MOSFET 能够满足严格的温度和振动要求,同时提供高可靠性的电力控制。 总之,RZE002P02TL 凭借其出色的电气特性和紧凑的设计,广泛应用于需要高效功率转换和精确电流控制的各种场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3MOSFET 1.2V DRVE PCH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZE002P02TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RZE002P02TL |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
Qg-GateCharge | 1.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 1.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
上升时间 | 4 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 115pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | EMT3 |
其它名称 | RZE002P02TLDKR |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | EMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
配置 | Single |