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型号： RW1A030APT2CR
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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RW1A030APT2CR产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RW1A030APT2CR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1A030APT2CR价格参考￥1.10-￥4.59。ROHM SemiconductorRW1A030APT2CR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT。您可以下载RW1A030APT2CR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RW1A030APT2CR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	3 A
Id-连续漏极电流	3 A
品牌	ROHM Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RW1A030APT2CR-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	RW1A030APT2CR
Pd-PowerDissipation	0.7 W
Pd-功率耗散	700 mW
Qg-GateCharge	22 nC
Qg-栅极电荷	22 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	30 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	30 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vds-漏源极击穿电压	- 12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	30 ns
下降时间	75 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2700pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	22nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	42 毫欧 @ 3A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-WEMT （1.6x1.6）
其它名称	RW1A030APT2CRCT
典型关闭延迟时间	240 ns
功率-最大值	700mW
包装	剪切带（CT）
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-SMD，扁平引线
封装/箱体	WEMT-6
工厂包装数量	8000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	3.8 S
漏源极电压(Vdss)	12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single