ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RUM003N02T2L
Datasheet下载- 型号： RUM003N02T2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RUM003N02T2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUM003N02T2L价格参考￥0.28-￥0.51。ROHM SemiconductorRUM003N02T2L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 300mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3。您可以下载RUM003N02T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RUM003N02T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RUM003N02T2L是一款单通道增强型n沟道功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电电路。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，RUM003N02T2L可以用于控制电机的启动、停止和调速。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以在高频开关条件下保持较低的功耗，延长设备使用寿命。 3. 负载开关：作为负载开关，它可以快速响应并精确控制电路中的负载连接与断开，确保系统稳定运行。例如，在消费电子设备中，可用于保护电路免受过流或短路损害。 4. 便携式设备：针对智能手机、平板电脑等便携式电子产品，这款MOSFET凭借其紧凑封装和低功耗特性，非常适合用于这些对空间和能效要求较高的产品中。 5. 汽车电子：在汽车电子领域，如车身控制模块、电动助力转向系统等，RUM003N02T2L同样表现出色，能够承受较为严苛的工作环境，并提供可靠的电气性能。 总之，RUM003N02T2L凭借其出色的电气参数和小巧的尺寸，在众多需要高效、可靠电力传输及控制的应用场合下都具有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUM003N02T2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RUM003N02T2L |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1000 mOhms at 4 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 300mA，4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | RUM003N02T2LCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
