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Datasheet下载- 型号： RUM002N02T2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RUM002N02T2L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RUM002N02T2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUM002N02T2L价格参考￥0.47-￥0.91。ROHM SemiconductorRUM002N02T2L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3。您可以下载RUM002N02T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RUM002N02T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3MOSFET SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUM002N02T2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RUM002N02T2L |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | RUM002N02T2LCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 200 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
