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  • 型号: RUM001L02T2CL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RUM001L02T2CL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUM001L02T2CL价格参考¥0.22-¥0.60。ROHM SemiconductorRUM001L02T2CL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3。您可以下载RUM001L02T2CL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUM001L02T2CL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,1.2V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

RUM001L02T2CL

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7.1pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

供应商器件封装

VMT3

其它名称

RUM001L02T2CL-ND
RUM001L02T2CLTR

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-723

标准包装

8,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

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