ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RUM001L02T2CL
Datasheet下载- 型号： RUM001L02T2CL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RUM001L02T2CL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUM001L02T2CL价格参考￥0.22-￥0.60。ROHM SemiconductorRUM001L02T2CL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3。您可以下载RUM001L02T2CL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RUM001L02T2CL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RUM001L02T2CL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景非常广泛，尤其适用于对功率效率和小型化有较高要求的电子产品中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 RUM001L02T2CL具有低导通电阻（Rds(on)）特性，非常适合用于高效能的电源管理电路中。例如，在开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）等应用中，它能够有效降低功耗，提高转换效率。由于其低导通电阻，发热较少，适合长时间稳定工作。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、智能家居设备中的风扇或泵等，RUM001L02T2CL可以作为开关元件来控制电机的启停和转速。它的快速开关特性和低损耗特性使得电机驱动更加高效，减少了能量损失。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，MOSFET用于电池充放电保护、过流保护以及短路保护等。RUM001L02T2CL的小封装和低导通电阻使其成为理想的开关元件，能够在不影响系统效率的情况下实现快速响应和高可靠性。 4. 消费电子设备 该型号的MOSFET常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中。这些设备对空间和功耗要求极高，RUM001L02T2CL的小尺寸和低功耗特性使其成为理想选择。它可以用于负载开关、电源切换等场景，确保设备在不同工作模式下的高效运行。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，RUM001L02T2CL可用于传感器接口、继电器替代、信号隔离等场合。其高可靠性和耐用性使得它能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作，同时其快速开关特性有助于提高系统的响应速度。 6. 物联网（IoT）设备 在物联网设备中，RUM001L02T2CL可用于无线模块的电源管理、传感器的开关控制等。由于其低功耗特性，特别适合那些依赖电池供电的IoT设备，延长了设备的续航时间。 总之，RUM001L02T2CL凭借其低导通电阻、小封装和高可靠性，广泛应用于各种需要高效能、低功耗和小型化的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RUM001L02T2CL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.1pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | RUM001L02T2CL-ND |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
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